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1200 V 75 mOhm 碳化硅功率 MOSFET(TO-247)

SinoPro · 型号 SP-SC-003 · 半导体与电子元器件

Verified 13 Sept 2026

AEC-Q101 认证 1200 V MOSFET,典型导通电阻 75 mOhm,175 C,TO-247-3L

SP-SC-003 是一款 1200 V、75 mOhm 的碳化硅功率 MOSFET,采用 TO-247-3L 封装。具备高耐压、低导通电阻和低开关损耗,并具有坚固的体二极管,最大工作结温 175 C。该器件通过 AEC-Q101 认证,适用于光伏逆变器、不间断电源、开关电源和电机驱动。

核心亮点

技术参数

电气

漏源电压(VDSmax)1200 V
连续漏极电流(TC = 25 C,VGS = 15 V)35 A
连续漏极电流(TC = 100 C)25 A
脉冲漏极电流(ID pulse)88 A
漏源导通电阻(VGS = 15 V,ID = 18 A,25 C,典型值)75 mohm
漏源导通电阻(25 C,最大值)92 mohm
漏源导通电阻(Tj = 175 C,典型值)110 mohm
栅极阈值电压(VGS(th),25 C)1.8 V to 4.0 V
推荐栅源工作电压(VGSop)4 V / +15 V
最大栅源瞬态电压(tp <= 0.5 us)10 V / +22 V
功耗(Ptot)208 W
跨导(gfs,VDS = 20 V,ID = 18 A,典型值)13 S
内部栅极电阻(Rg(int))1.9 ohm
二极管正向电压(VSD,VGS = -4 V,ISD = 9 A,典型值)3.5 V

热管理

结至壳热阻(Rth(j-c),典型值)0.60 C/W
结至环境热阻(Rth(j-a),最大值)40 C/W
工作结温(Tj)55 C to +175 C
存储温度(Tstg)55 C to +175 C
焊接温度(TL,距壳体 1.6 mm,10 s)260 C

开关

开通延迟时间(25 C,RG(ext) = 5.1 ohm)32 ns
上升时间(25 C)19 ns
关断延迟时间(25 C)25 ns
下降时间(25 C)13 ns
开通开关能量 Eon(VDD = 800 V,ID = 20 A,25 C)542
关断开关能量 Eoff(25 C)78
开通开关能量 Eon(Tj = 175 C)685
关断开关能量 Eoff(Tj = 175 C)81
输入电容(Ciss,VDS = 1000 V,f = 1 MHz)1484 pF
输出电容(Coss)79 pF
反向传输电容(Crss)1 pF
总栅极电荷(QG,VDD = 800 V,ID = 18 A)58 nC
栅极-漏极电荷(QGD)20 nC
COSS 储能(Eoss)44
反向恢复时间(trr,ISD = 20 A,25 C)38 ns
反向恢复电荷(Qrr,25 C)0.20 uC

包装

封装类型TO-247-3L
安装扭矩(M3 螺钉)0.7 Nm

可靠性

资质认证AEC-Q101
合规性compliant

订购

订货料号SP-SC-003-ASATH
每箱数量300 EA
包装类型Tube

应用场景

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