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1200 V 32 mOhm 碳化硅功率 MOSFET(TO-263)

SinoPro · 型号 SP-SC-004 · 半导体与电子元器件

Verified 13 Sept 2026

1200 V MOSFET,典型导通电阻 32 mOhm,TO-263-7L 封装

SP-SC-004 是一款 1200 V、32 mOhm 的碳化硅功率 MOSFET,采用表面贴装 TO-263-7L 封装。兼具高耐压、低导通电阻、低开关损耗和快速体二极管特性,最高工作结温 175 C。该器件适用于光伏逆变器、不间断电源、开关电源和电机驱动。

核心亮点

技术参数

电气

漏源电压(VDSmax)1200 V
连续漏极电流(TC = 25 C,VGS = 18 V)57 A
连续漏极电流(TC = 100 C)41 A
脉冲漏极电流(ID pulse)143 A
漏源导通电阻(VGS = 18 V,ID = 40 A,典型值)32 mohm
漏源导通电阻(VGS = 18 V,25 C,最大值)42 mohm
漏源导通电阻(VGS = 15 V,25 C,典型值)37 mohm
漏源导通电阻(Tj = 175 C,典型值)53 mohm
栅极阈值电压(VGS(th),25 C)1.8 V to 4.2 V
推荐栅源工作电压(VGSop)5 V / +18 V
最大栅源瞬态电压(tp <= 0.5 us)10 V / +25 V
功耗(Ptot)278 W
跨导(gfs,VDS = 20 V,ID = 40 A,典型值)24 S
内部栅极电阻(Rg(int))3.6 ohm

热管理

结至壳热阻(Rth(j-c),典型值)0.45 C/W
结至环境热阻(Rth(j-a),最大值)62 C/W
工作结温(Tj)55 C to +175 C
存储温度(Tstg)55 C to +175 C
焊接温度(TL,10 s)260 C

开关

开通延迟时间(25 C,RG(ext) = 2.4 ohm)11 ns
上升时间(25 C)14 ns
关断延迟时间(25 C)27 ns
下降时间(25 C)7 ns
开通开关能量 Eon(VDD = 800 V,ID = 40 A,25 C)286
关断开关能量 Eoff(25 C)89
开通开关能量 Eon(Tj = 175 C)331
关断开关能量 Eoff(Tj = 175 C)91
输入电容(Ciss,VDS = 1000 V,f = 100 kHz)2160 pF
输出电容(Coss)79 pF
反向传输电容(Crss)1.2 pF
总栅极电荷(QG,VDD = 800 V,ID = 40 A)91 nC
栅极-源极电荷(QGS)30 nC
栅极-漏极电荷(QGD)27 nC
COSS 储能(Eoss)50

包装

封装类型TO-263-7L

可靠性

合规性compliant
目标认证Industrial application

应用场景

Supply & contact

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