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1200 V / 100 A IGBT 功率模块

SinoPro · 型号 SP-SC-006 · 半导体与电子元器件

Verified 13 Sept 2026

1200 V / 100 A 二合一 IGBT 模块,短路耐受能力 10 us

SP-SC-006 是一款 1200 V、100 A 的 IGBT 功率模块,采用二合一封装和低 VCE(sat) 沟槽栅 IGBT 技术。模块将快速软恢复反并联续流二极管与采用 DBC 技术的绝缘铜基板相结合,最大结温 175 C,短路耐受时间 10 us。适用于开关电源、感应加热和电子焊接设备。

核心亮点

技术参数

电气

集电极-发射极电压(VCES)1200 V
栅极-发射极电压(VGES)+/-20 V
连续集电极电流(TC = 25 C)162 A
连续集电极电流(TC = 100 C)100 A
脉冲集电极电流(tp = 1 ms)200 A
集电极-发射极饱和电压(IC = 100 A,Tvj = 25 C,典型值)1.85 V
集电极-发射极饱和电压(IC = 100 A,Tvj = 150 C,典型值)2.35 V
栅极-发射极阈值电压5.6 V to 6.8 V
二极管连续正向电流(IF)100 A
重复峰值反向电压(VRRM)1200 V
最大功耗(Tvj = 175 C)595 W

热管理

最高结温(Tvjmax)175 C
工作结温(Tvjop)40 C to +150 C
存储温度范围(TSTG)40 C to +125 C
结到壳热阻(每 IGBT)0.252 K/W
结到壳热阻(每二极管)0.446 K/W
壳到散热器热阻(每模块)0.050 K/W

开关

开通延迟时间(Tvj = 125 C)68 ns
上升时间(Tvj = 125 C)44 ns
关断延迟时间(Tvj = 125 C)243 ns
下降时间(Tvj = 125 C)104 ns
开通开关损耗 Eon(Tvj = 125 C)14.5
关断开关损耗 Eoff(Tvj = 125 C)4.36
输入电容(Cies)10.8 nF
栅极电荷(QG)0.84 uC
内部栅极电阻(RGint)7.5 ohm

包装

电路拓扑2 in one-package
隔离电压(RMS,f = 50 Hz,t = 1 min)2500 V
杂散电感(LCE)30 nH
组件引线电阻(端子至芯片)0.75 mohm

可靠性

短路耐受时间(VCC = 800 V,Tvj = 150 C)10 us
短路电流(ISC)400 A
二极管反向恢复电荷 Qr(IF = 100 A,Tvj = 125 C)15.0 uC

应用场景

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