由我们直接供货 · 碳化硅 MOSFET
1200 V 32 mOhm 碳化硅功率 MOSFET（TO-263）
型号 SP-SC-004 · 本司型号
1200 V MOSFET，典型导通电阻 32 mOhm，TO-263-7L 封装
产品概述
SP-SC-004 是一款 1200 V、32 mOhm 的碳化硅功率 MOSFET，采用表面贴装 TO-263-7L 封装。兼具高耐压、低导通电阻、低开关损耗和快速体二极管特性，最高工作结温 175 C。该器件适用于光伏逆变器、不间断电源、开关电源和电机驱动。
核心亮点
- 漏源电压 1200 V，VGS = 18 V 时典型 RDS(on) 为 32 mOhm
- 25 C 时连续漏极电流 57 A，壳温 100 C 时 41 A
- 低开关损耗：40 A、25 C 时 Eon 为 286、Eoff 为 89
- 快速体二极管，25 C 时开通延迟 11 ns、下降时间 7 ns
- 结到壳热阻 0.45 C/W，最大结温 175 C
- 表面贴装 TO-263-7L 封装，脉冲漏极电流 143 A
技术参数
共 37 项公开参数，按类别分组。
电气
| 漏源电压（VDSmax） | 1200 V |
|---|---|
| 连续漏极电流（TC = 25 C，VGS = 18 V） | 57 A |
| 连续漏极电流（TC = 100 C） | 41 A |
| 脉冲漏极电流（ID pulse） | 143 A |
| 漏源导通电阻（VGS = 18 V，ID = 40 A，典型值） | 32 mohm |
| 漏源导通电阻（VGS = 18 V，25 C，最大值） | 42 mohm |
| 漏源导通电阻（VGS = 15 V，25 C，典型值） | 37 mohm |
| 漏源导通电阻（Tj = 175 C，典型值） | 53 mohm |
| 栅极阈值电压（VGS(th)，25 C） | 1.8 V to 4.2 V |
| 推荐栅源工作电压（VGSop） | 5 V / +18 V |
| 最大栅源瞬态电压（tp <= 0.5 us） | 10 V / +25 V |
| 功耗（Ptot） | 278 W |
| 跨导（gfs，VDS = 20 V，ID = 40 A，典型值） | 24 S |
| 内部栅极电阻（Rg(int)） | 3.6 ohm |
热管理
| 结至壳热阻（Rth(j-c)，典型值） | 0.45 C/W |
|---|---|
| 结至环境热阻（Rth(j-a)，最大值） | 62 C/W |
| 工作结温（Tj） | 55 C to +175 C |
| 存储温度（Tstg） | 55 C to +175 C |
| 焊接温度（TL，10 s） | 260 C |
开关
| 开通延迟时间（25 C，RG(ext) = 2.4 ohm） | 11 ns |
|---|---|
| 上升时间（25 C） | 14 ns |
| 关断延迟时间（25 C） | 27 ns |
| 下降时间（25 C） | 7 ns |
| 开通开关能量 Eon（VDD = 800 V，ID = 40 A，25 C） | 286 |
| 关断开关能量 Eoff（25 C） | 89 |
| 开通开关能量 Eon（Tj = 175 C） | 331 |
| 关断开关能量 Eoff（Tj = 175 C） | 91 |
| 输入电容（Ciss，VDS = 1000 V，f = 100 kHz） | 2160 pF |
| 输出电容（Coss） | 79 pF |
| 反向传输电容（Crss） | 1.2 pF |
| 总栅极电荷（QG，VDD = 800 V，ID = 40 A） | 91 nC |
| 栅极-源极电荷（QGS） | 30 nC |
| 栅极-漏极电荷（QGD） | 27 nC |
| COSS 储能（Eoss） | 50 |
包装
| 封装类型 | TO-263-7L |
|---|
可靠性
| 合规性 | compliant |
|---|---|
| 目标认证 | Industrial application |
应用场景
- 1光伏逆变器
- 2不间断电源（UPS）
- 3开关电源
- 4电机驱动
- 5储能变流器
- 6车载及工业电池充电器
应用视频
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参数核验说明
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